NSVBC850CLT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 NSVBC850CLT1G 共 7 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NSVBC850CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.637943 +200：￥0.246876 +500：￥0.2382 +1000：￥0.233913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 420 2mA，5V 功率 - 最大值： 225 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NSVBC850CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+6000：￥0.386556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 420 2mA，5V 功率 - 最大值： 225 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NSVBC850CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+6000：￥0.667967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 420 2mA，5V 功率 - 最大值： 225 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NSVBC850CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.709265 +6000：￥0.657926 +9000：￥0.545532 +30000：￥0.535936 +75000：￥0.481358	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： NPN Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max)： 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition： 100MHz Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 45 V Power - Max： 225 mW
	NSVBC850CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥4.236644 +10：￥2.890888 +100：￥1.4118 +500：￥1.177788 +1000：￥0.81842	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： NPN Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max)： 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition： 100MHz Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 45 V Power - Max： 225 mW
	NSVBC850CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥4.236644 +10：￥2.890888 +100：￥1.4118 +500：￥1.177788 +1000：￥0.81842	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： NPN Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max)： 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition： 100MHz Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 45 V Power - Max： 225 mW

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NSVBC850CLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3 下载数据手册晶体管	+1：￥5.386571 +10：￥3.675543 +100：￥2.328901 +1000：￥1.045629 +3000：￥0.82383	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Cut Tape,Reel 封装/外壳： SOT-23-3 系列： BC846ALT1 产品种类：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 晶体管极性： NPN 资格： AEC-Q101 商标： onsemi 产品类型： BJTs - Bipolar Transistors 技术： Si 温度： ~

NSVBC850CLT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	600mV 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	420 2mA，5V
功率 - 最大值:	225 mW
频率 - 跃迁:	100MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）