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搜索 NJVMJD210T4G7 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NJVMJD210T4G_未分类
NJVMJD210T4G
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 5A DPAK-4

未分类

+1:

¥3.529508

+200:

¥1.365909

+500:

¥1.3222

+1000:

¥1.300345

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.8V 1A,5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 45 2A,1V

功率 - 最大值: 1.4 W

频率 - 跃迁: 65MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -65°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NJVMJD210T4G_双极性晶体管
授权代理品牌
+2500:

¥1.510827

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.8V 1A,5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 45 2A,1V

功率 - 最大值: 1.4 W

频率 - 跃迁: 65MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -65°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NJVMJD210T4G_双极性晶体管
授权代理品牌
+2500:

¥2.610704

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.8V 1A,5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 45 2A,1V

功率 - 最大值: 1.4 W

频率 - 跃迁: 65MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -65°C # 150°C(TJ)

NJVMJD210T4G_未分类
NJVMJD210T4G
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 5A DPAK

未分类

+2500:

¥2.79837

+5000:

¥2.617873

+12500:

¥2.437256

+25000:

¥2.310919

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A

Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V

Frequency - Transition: 65MHz

Supplier Device Package: DPAK

Current - Collector (Ic) (Max): 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V

Power - Max: 1.4 W

NJVMJD210T4G_未分类
NJVMJD210T4G
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 5A DPAK

未分类

+1:

¥7.926032

+10:

¥6.773154

+100:

¥5.054647

+500:

¥3.971903

+1000:

¥3.069175

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A

Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V

Frequency - Transition: 65MHz

Supplier Device Package: DPAK

Current - Collector (Ic) (Max): 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V

Power - Max: 1.4 W

NJVMJD210T4G_未分类
NJVMJD210T4G
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 5A DPAK

未分类

+1:

¥7.926032

+10:

¥6.773154

+100:

¥5.054647

+500:

¥3.971903

+1000:

¥3.069175

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A

Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V

Frequency - Transition: 65MHz

Supplier Device Package: DPAK

Current - Collector (Ic) (Max): 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V

Power - Max: 1.4 W

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NJVMJD210T4G_晶体管
NJVMJD210T4G
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 5A DPAK-4

晶体管

+1:

¥10.266844

+10:

¥8.829486

+100:

¥6.586575

+500:

¥5.180807

+1000:

¥4.011966

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: DPAK-3

系列: MJD210

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 25 V

集电极—基极电压 VCBO: - 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO: - 8 V

集电极—射极饱和电压: - 1.8 V

最大直流电集电极电流: - 5 A

Pd-功率耗散: 12.5 W

增益带宽产品fT: 65 MHz

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min: 45 at 2 A, 1 V

直流电流增益 hFE 最大值: 180 at 2 A, 1 V

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

单位重量: 351 mg

温度: - 65 C~+ 150 C

NJVMJD210T4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.8V 1A,5A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 45 2A,1V
功率 - 最大值: 1.4 W
频率 - 跃迁: 65MHz
工作温度: -65°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
温度: -65°C # 150°C(TJ)