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NSS35200MR6T1G_未分类
NSS35200MR6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

未分类
+5：

￥0.700544

+50：

￥0.57352

+150：

￥0.510009

+500：

￥0.462376

+3000：

￥0.424267

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 35 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 310mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，1.5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSS35200MR6T1G_未分类
NSS35200MR6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

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未分类
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￥1.253085

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 35 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 310mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，1.5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NSS35200MR6T1G_双极性晶体管
NSS35200MR6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+100：

￥3.884208

+500：

￥3.054209

+1000：

￥2.362502

+3000：

￥2.139051

+6000：

￥2.000636

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 35 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 310mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，1.5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NSS35200MR6T1G_双极性晶体管
NSS35200MR6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1000：

￥1.357663

+5000：

￥1.338793

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 35 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 310mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，1.5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSS35200MR6T1G_双极性晶体管
NSS35200MR6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥1.251707

+6000：

￥1.188059

+9000：

￥1.103216

+30000：

￥1.077718

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 35 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 310mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，1.5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSS35200MR6T1G_双极性晶体管
NSS35200MR6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥3.062007

+6000：

￥2.906306

+9000：

￥2.698757

+30000：

￥2.636383

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 35 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 310mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，1.5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NSS35200MR6T1G_双极性晶体管
NSS35200MR6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥9.131538

+10：

￥7.769547

+100：

￥5.396895

+500：

￥4.214128

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

NSS35200MR6T1G_双极性晶体管
NSS35200MR6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥9.131538

+10：

￥7.769547

+100：

￥5.396895

+500：

￥4.214128

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSS35200MR6T1G_未分类
NSS35200MR6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

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未分类
+1：

￥10.115819

+10：

￥8.614762

+100：

￥6.444756

+500：

￥5.05791

+1000：

￥3.948434

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： TSOP-6

系列： NSS35200MR6T1G

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 35 V

集电极—基极电压 VCBO： - 55 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 260 mV

最大直流电集电极电流： - 2 A

Pd-功率耗散： 625 mW

增益带宽产品fT： 100 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： - 2 A

高度： 0.94 mm

长度： 3 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 1.5 mm

单位重量： 20 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSS35200MR6T1G_未分类
NSS35200MR6T1G
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R

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￥1.809412

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￥1.77975

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￥1.73848

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货期：7~10 天

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NSS35200MR6T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 35 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 310mV 20mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 1.5A，1.5V
功率 - 最大值: 625 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-TSOP
温度: -55°C # 150°C（TJ）