品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 320mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，2V

功率 - 最大值： 545 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 320mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，2V

功率 - 最大值： 545 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 320mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，2V

功率 - 最大值： 545 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 320mV 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1.5A，2V

功率 - 最大值： 545 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： 6-TSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 320mV @ 20mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 1.5A, 2V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： 6-TSOP

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 3 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 20 V

Power - Max： 545 mW