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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NSS12601CF8T1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET 下载数据手册未分类	+1：￥7.058232 +200：￥2.738853 +500：￥2.641425 +1000：￥2.587296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V 功率 - 最大值： 830 mW 频率 - 跃迁： 140MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NSS12601CF8T1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥2.517851 +5000：￥2.482634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V 功率 - 最大值： 830 mW 频率 - 跃迁： 140MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NSS12601CF8T1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥7.015208 +100：￥4.480009 +500：￥3.692824 +1000：￥3.391841	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V 功率 - 最大值： 830 mW 频率 - 跃迁： 140MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NSS12601CF8T1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 12V 6A CHIPFET 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥2.499167	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V 功率 - 最大值： 830 mW 频率 - 跃迁： 140MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NSS12601CF8T1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥4.318553	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V 功率 - 最大值： 830 mW 频率 - 跃迁： 140MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： ChipFET™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NSS12601CF8T1G ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Reel 封装/外壳： ChipFET-8 系列： NSS12601CF8 产品种类：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： NPN 配置： Single 集电极—发射极最大电压 VCEO： 12 V 集电极—基极电压 VCBO： 12 V 发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V 最大直流电集电极电流： 6 A Pd-功率耗散： 1400 mW 增益带宽产品fT： 140 MHz 商标： onsemi 直流集电极/Base Gain hfe Min： 200 高度： 1.05 mm 长度： 3.05 mm 产品类型： BJTs - Bipolar Transistors 技术： Si 宽度： 1.65 mm 温度： - 55 C~+ 150 C

NSS12601CF8T1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	6 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	12 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	120mV 400mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	200 1A，2V
功率 - 最大值:	830 mW
频率 - 跃迁:	140MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	ChipFET™
温度:	-55°C # 150°C（TJ）