品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V

功率 - 最大值： 830 mW

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： ChipFET™

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V

功率 - 最大值： 830 mW

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： ChipFET™

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V

功率 - 最大值： 830 mW

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： ChipFET™

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V

功率 - 最大值： 830 mW

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： ChipFET™

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 120mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1A，2V

功率 - 最大值： 830 mW

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： ChipFET™

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-SMD, Flat Leads

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 120mV @ 400mA, 4A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 200 @ 1A, 2V

Frequency - Transition： 140MHz

Supplier Device Package： ChipFET™

Current - Collector (Ic) (Max)： 6 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 12 V

Power - Max： 830 mW

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-SMD, Flat Leads

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 120mV @ 400mA, 4A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 200 @ 1A, 2V

Frequency - Transition： 140MHz

Supplier Device Package： ChipFET™

Current - Collector (Ic) (Max)： 6 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 12 V

Power - Max： 830 mW

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： ChipFET-8

系列： NSS12601CF8

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 12 V

集电极—基极电压 VCBO： 12 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

最大直流电集电极电流： 6 A

Pd-功率耗散： 1400 mW

增益带宽产品fT： 140 MHz

商标： onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min： 200

高度： 1.05 mm

长度： 3.05 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 1.65 mm

温度： - 55 C~+ 150 C