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NSS30101LT1G_null
NSS30101LT1G
ON(安森美)
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TRANS NPN 30V 1A SOT-23
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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 500mA，5V

功率 - 最大值： 310 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NSS30101LT1G_双极性晶体管
NSS30101LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 500mA，5V

功率 - 最大值： 310 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NSS30101LT1G_双极性晶体管
NSS30101LT1G
ON(安森美)
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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 500mA，5V

功率 - 最大值： 310 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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NSS30101LT1G_双极性晶体管
NSS30101LT1G
ON(安森美)
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TRANS NPN 30V 1A SOT23-3

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双极性晶体管
+3000：

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￥0.636374

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 500mA，5V

功率 - 最大值： 310 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NSS30101LT1G_双极性晶体管
NSS30101LT1G
ON(安森美)
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+3000：

￥1.657052

+6000：

￥1.55674

+15000：

￥1.456298

+30000：

￥1.335713

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￥1.285492

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 500mA，5V

功率 - 最大值： 310 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NSS30101LT1G_双极性晶体管
NSS30101LT1G
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￥5.83049

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￥4.717396

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￥3.213396

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￥2.410379

+1000：

￥1.807717

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

NSS30101LT1G_双极性晶体管
NSS30101LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥5.83049

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￥4.717396

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￥3.213396

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￥2.410379

+1000：

￥1.807717

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

NSS30101LT1G_未分类
NSS30101LT1G
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授权代理品牌

TRANS NPN 30V 1A SOT23-3

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未分类
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￥1.325111

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货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 200mV @ 100mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 300 @ 500mA, 5V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 30 V

Power - Max： 310 mW

Mouser
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NSS30101LT1G_晶体管
NSS30101LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 1A SOT-23

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晶体管
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￥6.697387

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￥5.308904

+100：

￥2.956652

+1000：

￥1.992882

+3000：

￥1.747856

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： NSS30101LT1G

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 30 V

集电极—基极电压 VCBO： 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 200 mV

最大直流电集电极电流： 1 A

Pd-功率耗散： 310 mW

增益带宽产品fT： 100 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： 1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 300

高度： 0.94 mm

长度： 2.9 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 1.3 mm

单位重量： 8 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

NSS30101LT1G_未分类
NSS30101LT1G
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

雙極結晶體管 - BJT

未分类
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货期：7~10 天

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NSS30101LT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 300 500mA，5V
功率 - 最大值: 310 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
温度: -55°C # 150°C（TJ）