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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMD6N03R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.627854 +200：￥1.409618 +500：￥1.354981 +1000：￥1.333127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950pF 24V 功率 - 最大值： 1.29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMD6N03R2G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTMD6N03R2G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.271072 +4000：￥1.196869 +12000：￥1.143966 +24000：￥1.112246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTMD6N03R2G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTMD6N03R2G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.739585 +150：￥0.726726 +500：￥0.707439 +22950：￥0.694579 +32800：￥0.649574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTMD6N03R2G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTMD6N03R2G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.771673 +12000：￥0.75153 +20000：￥0.731388 +36000：￥0.704647	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTMD6N03R2G 授权代理品牌	NTMD6N03R2G BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.183556 +500：￥1.092567 +2000：￥1.001462 +6000：￥0.910472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTMD6N03R2G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTMD6N03R2G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.812305 +4000：￥0.798183 +12000：￥0.776998 +20000：￥0.755813 +36000：￥0.727567	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMD6N03R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950pF 24V 功率 - 最大值： 1.29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMD6N03R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950pF 24V 功率 - 最大值： 1.29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTMD6N03R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	NTMD6N03R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

NTMD6N03R2G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	32 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	950pF 24V
功率 - 最大值:	1.29W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）