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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDD02N60Z-1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥1.563704

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装: I-PAK

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDD02N60Z-1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥3.825236

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.8 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 274 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 57W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: I-PAK

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NDD02N60Z-1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥2.183585

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¥2.00162

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¥1.819489

+3000:

¥1.728506

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装: I-PAK

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDD02N60Z-1G_未分类
NDD02N60Z-1G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V IPAK

未分类

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¥10.224373

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¥10.167571

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¥8.648115

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¥4.515765

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 75

NDD02N60Z-1G参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装: I-PAK