锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NTLGD3502NT1G4 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTLGD3502NT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

射频晶体管

+704:

¥2.490346

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.3A,3.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 4.3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 480pF 10V

功率 - 最大值: 1.74W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-DFN(3x3)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTLGD3502NT1G_射频晶体管

N-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

+704:

¥6.092045

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-DFN (3x3)

NTLGD3502NT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

射频晶体管

+1:

¥3.137335

+25:

¥2.856626

+50:

¥2.74104

+100:

¥2.641966

+250:

¥2.542893

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.3A,3.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 4.3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 480pF 10V

功率 - 最大值: 1.74W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-DFN(3x3)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTLGD3502NT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-DFN (3x3)

NTLGD3502NT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.3A,3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 4.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 480pF 10V
功率 - 最大值: 1.74W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-DFN(3x3)
温度: -55°C # 150°C(TJ)