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NTHD2102PT1G参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 8V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 58 毫欧 3.4A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 16nC 2.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 715pF 6.4V |
功率 - 最大值: | 1.1W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装: | ChipFET™ |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |