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NTMFD6H852NLT1G
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 80V 8DFN

未分类
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￥7.211998

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￥6.108344

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￥5.507344

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￥4.829853

+500：

￥4.52389

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Digi-Key
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NTMFD6H852NLT1G_射频晶体管
NTMFD6H852NLT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1500：

￥10.854462

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser
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NTMFD6H852NLT1G_晶体管
NTMFD6H852NLT1G
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 80V 8DFN

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晶体管
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需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： DFN-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 80 V

Id-连续漏极电流： 25 A

Rds On-漏源导通电阻： 25.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 10 nC

Pd-功率耗散： 38 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 16 ns

正向跨导 - 最小值： 38 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 23 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 19 ns

典型接通延迟时间： 7 ns

单位重量： 161.193 mg

温度： - 55 C~+ 175 C

NTMFD6H852NLT1G参数规格

属性 参数值
系列: -
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)