NTTFS1D2N02P1E厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS1D2N02P1E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥16.675014 +200：￥6.458017 +500：￥6.228544 +1000：￥6.119271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 934µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 4.5 V Vgs（最大值）： +16V，-12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4040 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 820mW（Ta），52W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS1D2N02P1E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.570639	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 934µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 4.5 V Vgs（最大值）： +16V，-12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4040 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 820mW（Ta），52W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTTFS1D2N02P1E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥13.627259	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 934µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 4.5 V Vgs（最大值）： +16V，-12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4040 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 820mW（Ta），52W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTTFS1D2N02P1E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.798807 +10：￥24.477816 +100：￥17.556713 +500：￥14.493622 +1000：￥13.627259	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (3.3x3.3)
NTTFS1D2N02P1E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.798807 +10：￥24.477816 +100：￥17.556713 +500：￥14.493622 +1000：￥13.627259	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS1D2N02P1E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥43.447181 +10：￥30.346694 +100：￥21.226103 +500：￥17.412038 +1000：￥16.582893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS1D2N02P1E ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin PQFN EP Reel 下载数据手册未分类	+3000：￥13.217995	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS1D2N02P1E onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+3000：￥8.209802	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTTFS1D2N02P1E参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	23A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 934µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	+16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4040 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	820mW（Ta），52W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）