NDT454P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT454P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P沟道 35V 6.2A 下载数据手册未分类	+1：￥2.673468 +10：￥2.238499 +30：￥2.047537 +100：￥1.856575 +500：￥1.729267	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 35V 连续漏极电流(Id)： 6.2A 功率(Pd)： 4.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 40mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 9.8nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)： 970pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)： 95pF@20V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
	NDT454P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 下载数据手册未分类	+1：￥6.141126 +200：￥2.382145 +500：￥2.294727 +1000：￥2.251018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 5.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT454P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.897448 +8000：￥3.543124 +12000：￥3.40685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 5.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDT454P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥9.53419 +8000：￥8.667419 +12000：￥8.334058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 5.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）
NDT454P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.959693 +10：￥19.66455 +25：￥18.667155 +100：￥14.001783 +250：￥13.867759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4
NDT454P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4

NDT454P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 5.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	950 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta）
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-65°C # 150°C（TJ）