品牌： onsemi

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

配置： 2 个独立式

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

功率 - 最大值： 186 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，50A

电流 - 集电极截止（最大值）： 200 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 9.075 nF 20 V

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 底座安装

封装/外壳： 模块

供应商器件封装： 22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

配置： 2 个独立式

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

功率 - 最大值： 186 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，50A

电流 - 集电极截止（最大值）： 200 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 9.075 nF 20 V

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 底座安装

封装/外壳： 模块

供应商器件封装： 22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）

温度： -40°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tray

Package / Case： Module

Mounting Type： Chassis Mount

Input： Standard

Configuration： 2 Independent

Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ)

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.3V @ 15V, 50A

NTC Thermistor： No

Supplier Device Package： 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)

IGBT Type： Trench Field Stop

Current - Collector (Ic) (Max)： 50 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 1200 V

Power - Max： 186 W

Current - Collector Cutoff (Max)： 200 µA

Input Capacitance (Cies) @ Vce： 9.075 nF @ 20 V