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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3142PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2876：￥0.521235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 215mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 260mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3142PT5G Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2876：￥1.275079	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： SOT-723
	NTK3142PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 215mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 260mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3142PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 215mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 260mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTK3142PT5G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	215mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 欧姆 260mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15.3 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	280mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-723
封装/外壳:	SOT-723
温度:	-55°C # 150°C（TJ）