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NDT456P_未分类
NDT456P
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

NDT456P VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
+10：

￥1.463782

+200：

￥1.438802

+850：

￥1.413717

+2530：

￥1.376196

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￥1.338673

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NDT456P_未分类
NDT456P
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4

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未分类
+5：

￥23.661578

+1000：

￥21.768321

+2000：

￥21.110943

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 30mOhm @ 7.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-223-4

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 67 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1440 pF @ 15 V

NDT456P_未分类
NDT456P
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

NDT456P VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
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￥1.717685

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￥1.648921

+200：

￥1.580274

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￥1.538947

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￥1.484075

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NDT456P_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT456P
ON(安森美)
授权代理品牌
+4000：

￥12.091181

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

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NDT456P
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌

NDT456P JSMICRO/深圳杰盛微

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+2500：

￥0.900748

+7500：

￥0.885121

+12500：

￥0.861505

+30000：

￥0.822377

库存： 1000 +

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NDT456P_未分类
NDT456P
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

NDT456P VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
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￥1.483612

+2500：

￥1.397022

+7500：

￥1.335205

+20000：

￥1.298161

库存： 1000 +

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NDT456P_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT456P
ON(安森美)
授权代理品牌
+40：

￥20.784324

+100：

￥16.712864

+500：

￥13.736085

+1000：

￥11.386591

+200000：

￥10.599048

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT456P_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT456P
ON(安森美)
授权代理品牌
+10：

￥24.643622

+25：

￥23.266344

+100：

￥19.798486

+500：

￥16.220068

+1000：

￥13.477783

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NDT456P_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT456P
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥6.295437

+8000：

￥6.058809

+12000：

￥5.858241

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT456P_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT456P
ON(安森美)
授权代理品牌

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD

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晶体管-FET，MOSFET-单个
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需询价

库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT456P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 67 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1440 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta）
工作温度: -65°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-4
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
温度: -65°C # 150°C（TJ）