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NTMD2P01R2参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | Obsolete |
| FET 类型: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 功能: | Logic Level Gate |
| 漏源电压（Vdss）: | 16V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100mOhm 2.4A, 4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18nC 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 750pF 16V |
| 功率 - 最大值: | 710mW |
| 工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 封装/外壳: | 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 温度: | -55°C # 150°C (TJ) |