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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFD5489NLWFT3G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.4nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330pF 25V

功率 - 最大值: 3W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFD5489NLWFT3G_射频晶体管
NVMFD5489NLWFT3G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.4nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330pF 25V

功率 - 最大值: 3W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMFD5489NLWFT3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.4nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330pF 25V
功率 - 最大值: 3W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
温度: -55°C # 175°C(TJ)