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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NDS9942_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A,2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125 毫欧 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 525pF 10V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -

Digi-Key
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NDS9942_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A,2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125 毫欧 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 525pF 10V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -

NDS9942_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
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NDS9942_射频晶体管
NDS9942
授权代理品牌

MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A,2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125 毫欧 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 525pF 10V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -

NDS9942参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A,2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125 毫欧 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 525pF 10V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -