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NDS9955_未分类
NDS9955
授权代理品牌

NDS9955 VBSEMI/微碧半导体

未分类

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NDS9955_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 345pF 25V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -

Digi-Key
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NDS9955_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 345pF 25V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -

NDS9955_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
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NDS9955_射频晶体管
NDS9955
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 345pF 25V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

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NDS9955参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 345pF 25V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -