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搜索 NDS9933A 共 12 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS9933A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2个P沟道 30V 7.3A 下载数据手册未分类	+1：￥2.909306 +10：￥2.384161 +30：￥2.153097 +100：￥1.880021 +500：￥1.753986	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： 2个P沟道漏源电压(Vdss)： 30V 连续漏极电流(Id)： 7.3A 功率(Pd)： 5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 35mΩ@10V,6.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)： 1.35nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)： 185pF@15V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
	NDS9933A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.267299 +200：￥0.87746 +500：￥0.846645 +1000：￥0.831347	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS9933A JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NDS9933A JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.863218 +150：￥0.848251 +500：￥0.825697 +19700：￥0.81073 +28100：￥0.758136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NDS9933A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NDS9933A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NDS9933A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.483612 +4000：￥1.397022 +12000：￥1.335205 +20000：￥1.298161	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NDS9933A JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NDS9933A JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.900748 +12000：￥0.885121 +20000：￥0.861505 +32000：￥0.822377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NDS9933A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1000：￥2.284226 +5000：￥2.252275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NDS9933A 授权代理品牌	NDS9933A VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.429435 +25：￥1.393665 +50：￥1.35801 +100：￥1.32224 +150：￥1.298392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS9933A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NDS9933A ON Semiconductor 授权代理品牌	P-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+925：￥1.939508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NDS9933A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	140 毫欧 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	405pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）