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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTHD5903T1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 2.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 600mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: ChipFET™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTHD5903T1G_射频晶体管

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

射频晶体管

+926:

¥3.336126

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: ChipFET™

NTHD5903T1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 2.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 600mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: ChipFET™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTHD5903T1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: ChipFET™

NTHD5903T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 2.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 600mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.1W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: ChipFET™
温度: -55°C # 150°C(TJ)