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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTGD3133PT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

射频晶体管

+1069:

¥1.479114

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 145 毫欧 2.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 400pF 10V

功率 - 最大值: 560mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: 6-TSOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTGD3133PT1G_射频晶体管

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

射频晶体管

+1069:

¥3.618304

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: 6-TSOP

NTGD3133PT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 145 毫欧 2.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 400pF 10V

功率 - 最大值: 560mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: 6-TSOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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NTGD3133PT1G_未分类
NTGD3133PT1G
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

標準包裝數量: 3000

NTGD3133PT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 145 毫欧 2.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 400pF 10V
功率 - 最大值: 560mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-TSOP
温度: -55°C # 150°C(TJ)