搜索 NTMD6N04R2G 共 6 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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NTMD6N04R2G 授权代理品牌 | +10: ¥2.344286 +200: ¥2.257436 +2190: ¥2.20537 +4920: ¥2.170692 +8200: ¥2.135806 | 暂无参数 |
自营 国内现货
Digi-Key
NTMD6N04R2G参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 34 毫欧 5.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 900pF 32V |
功率 - 最大值: | 1.29W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |