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NTMD6N04R2G_未分类
NTMD6N04R2G
授权代理品牌

NTMD6N04R2G VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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NTMD6N04R2G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900pF 32V

功率 - 最大值: 1.29W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NTMD6N04R2G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900pF 32V

功率 - 最大值: 1.29W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTMD6N04R2G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

NTMD6N04R2G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

NTMD6N04R2G_射频晶体管

N-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

NTMD6N04R2G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900pF 32V
功率 - 最大值: 1.29W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C(TJ)