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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDB6020P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.430544 +200：￥2.884799 +500：￥2.775527 +1000：￥2.731818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1590 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDB6020P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1590 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDB6020P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1590 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）
NDB6020P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -65°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
NDB6020P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.712885	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -65°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
NDB6020P ON(安森美) 授权代理品牌	P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -65°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 12A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V Vgs (Max)： ±8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1590 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDB6020P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1590 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）

NDB6020P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 12A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1590 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	60W（Tc）
工作温度:	-65°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-65°C # 175°C（TJ）