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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTLJD3181PZTAG_射频晶体管

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

射频晶体管

+1087:

¥2.368238

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

NTLJD3181PZTAG_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450pF 10V

功率 - 最大值: 710mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTLJD3181PZTAG_射频晶体管
NTLJD3181PZTAG
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450pF 10V

功率 - 最大值: 710mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTLJD3181PZTAG参数规格

属性 参数值
系列: -
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)