锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NTZD3156CT1G4 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTZD3156CT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

射频晶体管

+1575:

¥0.57915

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 540mA,430mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 540mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 72pF 16V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTZD3156CT1G_射频晶体管

SMALL SIGNAL N AND P-CH MOSFET

射频晶体管

+1575:

¥1.416755

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

NTZD3156CT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 540mA,430mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 540mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 72pF 16V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTZD3156CT1G_射频晶体管
NTZD3156CT1G
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 540mA,430mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 540mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 72pF 16V

功率 - 最大值: 250mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTZD3156CT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 540mA,430mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 540mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 72pF 16V
功率 - 最大值: 250mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)