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搜索 NTGD3148NT1G 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTGD3148NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP 下载数据手册射频晶体管	+10：￥5.126286 +200：￥3.834006 +800：￥2.972365 +3000：￥2.153921 +15000：￥1.938541	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP 温度： -50°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTGD3148NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.764599 +10：￥2.141745 +30：￥1.87949 +100：￥1.540745 +500：￥1.398691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP 温度： -50°C # 150°C（TJ）
	NTGD3148NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N+N沟道 20V 6A 下载数据手册未分类	+5：￥1.606418 +50：￥1.324822 +150：￥1.204185 +500：￥0.934719 +3000：￥0.867626	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTGD3148NT1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	NTGD3148NT1G 下载数据手册未分类	+5：￥0.891965 +50：￥0.734611 +150：￥0.655935 +500：￥0.533032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTGD3148NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP 下载数据手册未分类	+1000：￥31.841038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP 温度： -50°C # 150°C（TJ）
	NTGD3148NT1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	NTGD3148NT1G TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.484308 +9000：￥0.458802 +24000：￥0.429924 +42000：￥0.422123 +84000：￥0.390819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTGD3148NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTGD3148NT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.836131 +1000：￥0.793233 +15000：￥0.771732 +21000：￥0.750336 +30000：￥0.721772	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTGD3148NT1G 授权代理品牌	NTGD3148NT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.81682 +25：￥0.796446 +50：￥0.775956 +100：￥0.755582 +200：￥0.741922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTGD3148NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP 下载数据手册射频晶体管	+100：￥1.950599 +500：￥1.869102 +1000：￥1.821176 +3000：￥1.773829	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP 温度： -50°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTGD3148NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.038749 +6000：￥0.985973 +9000：￥0.915547 +30000：￥0.894401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： 6-TSOP 温度： -50°C # 150°C（TJ）

NTGD3148NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	300pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-50°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	6-TSOP
温度:	-50°C # 150°C（TJ）