品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 3.3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 12 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 3.3A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 625mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.2V @ 100µA

Supplier Device Package： SC-88/SC70-6/SOT-363

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 12 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.6 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 850 pF @ 12 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 3.3A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 625mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.2V @ 100µA

Supplier Device Package： SC-88/SC70-6/SOT-363

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 12 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.6 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 850 pF @ 12 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 3.3A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 625mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.2V @ 100µA

Supplier Device Package： SC-88/SC70-6/SOT-363

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.8V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 12 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.6 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 850 pF @ 12 V

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： SC-88-6

系列： NTJS3151P

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 12 V

Id-连续漏极电流： 3.3 A

Rds On-漏源导通电阻： 133 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Pd-功率耗散： 625 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 1.5 ns

正向跨导 - 最小值： 15 S

高度： 0.9 mm

长度： 2 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 1.5 ns

晶体管类型： 1 P-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 3.5 ns

典型接通延迟时间： 0.86 ns

宽度： 1.25 mm

温度： - 55 C~+ 150 C