NTMFS5C612NLT1G-UIL5厂家价格_数据手册

搜索 NTMFS5C612NLT1G-UIL5 共 7 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C612NLT1G-UIL5 ON(安森美) 授权代理品牌	NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.414819 +200：￥10.219331 +500：￥9.862232 +1500：￥9.683683	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Ta），235A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C612NLT1G-UIL5 ON(安森美) 授权代理品牌	NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥53.953713 +100：￥44.163313 +500：￥35.57889 +1000：￥29.950631 +1500：￥28.543534	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Ta），235A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS5C612NLT1G-UIL5 ON(安森美) 授权代理品牌	NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥49.784734	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Ta），235A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS5C612NLT1G-UIL5 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN 下载数据手册未分类	+1500：￥15.573399 +3000：￥15.268038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 36A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.5mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6660 pF @ 25 V
NTMFS5C612NLT1G-UIL5 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥44.977988 +10：￥31.775265 +100：￥22.040745 +500：￥18.688202	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 36A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.5mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6660 pF @ 25 V
NTMFS5C612NLT1G-UIL5 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥44.977988 +10：￥31.775265 +100：￥22.040745 +500：￥18.688202	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 36A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.5mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6660 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C612NLT1G-UIL5 ON(安森美) 授权代理品牌	NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO 下载数据手册未分类	+1：￥47.758733 +10：￥34.326589 +100：￥24.045195 +500：￥20.396958 +1000：￥18.407012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 1500

NTMFS5C612NLT1G-UIL5参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	36A（Ta），235A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	91 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6660 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），167W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）