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	NTMD5836NLR2G 授权代理品牌	NTMD5836NLR2G BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.972593 +500：￥1.820945 +2000：￥1.66918 +6000：￥1.517415	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTMD5836NLR2G 授权代理品牌	NTMD5836NLR2G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.295802 +20：￥2.236879 +50：￥2.158392 +4000：￥2.138828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	NTMD5836NLR2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，5.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120pF 20V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	NTMD5836NLR2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，5.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120pF 20V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTMD5836NLR2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	NTMD5836NLR2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.416031 +25：￥4.871125 +50：￥4.425293 +100：￥4.062022 +250：￥3.74829	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	NTMD5836NLR2G Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+610：￥5.808693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

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	NTMD5836NLR2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，5.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120pF 20V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTMD5836NLR2G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A，5.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2120pF 20V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）