品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 25 V

漏源电压（Vdss）： 25 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 20 mA 5 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 600 mV 100 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6pF 5V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 400 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： 3-CPH

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 25 V

漏源电压（Vdss）： 25 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 20 mA 5 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 600 mV 100 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6pF 5V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 400 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： 3-CPH

温度： -55°C # 150°C（TJ）