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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +1500： ￥31.132979 +3000： ￥29.576336 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥58.951194 +10： ￥52.925861 +100： ￥43.363457 +500： ￥36.914812 | 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | ||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥58.951194 +10： ￥52.925861 +100： ￥43.363457 +500： ￥36.914812 | 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Mouser
艾睿
NVMFD5C650NLT1G参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 21A（Ta），111A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.2 毫欧 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V 98µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 16nC 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2546pF 25V |
| 功率 - 最大值: | 3.5W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |