品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 15 V

漏源电压（Vdss）： 15 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 300 mV 100 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10pF 5V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 200 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59-3/CP3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

FET Type： N-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 10pF @ 5V

Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)： 15 V

Current Drain (Id) - Max： 50 mA

Supplier Device Package： SC-59-3/CP3

Part Status： Active

Drain to Source Voltage (Vdss)： 15 V

Power - Max： 200 mW

Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id： 300 mV @ 100 µA

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)： 10 mA @ 5 V

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 15 V

漏源电压（Vdss）： 15 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 300 mV 100 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10pF 5V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 200 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59-3/CP3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 15 V

漏源电压（Vdss）： 15 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 300 mV 100 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10pF 5V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 200 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59-3/CP3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 15 V

漏源电压（Vdss）： 15 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 300 mV 100 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10pF 5V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 200 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59-3/CP3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 15 V

漏源电压（Vdss）： 15 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 10 mA 5 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 50 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 300 mV 100 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10pF 5V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 200 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59-3/CP3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

FET Type： N-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 10pF @ 5V

Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)： 15 V

Current Drain (Id) - Max： 50 mA

Supplier Device Package： SC-59-3/CP3

Part Status： Active

Drain to Source Voltage (Vdss)： 15 V

Power - Max： 200 mW

Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id： 300 mV @ 100 µA

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)： 10 mA @ 5 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SC-59-3

系列：

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

配置： Single

Vds-漏源极击穿电压： 15 V

Vgs-栅源极击穿电压 ： - 15 V

闸/源截止电压： - 700 mV

Vgs=0时的漏-源电流： 32 mA

Id-连续漏极电流： 50 mA

Pd-功率耗散： 200 mW

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

正向跨导 - 最小值： 24 mS

最大漏极/栅极电压： - 15 V

产品类型： JFETs

类型： JFET

单位重量： 11.600 mg

温度： - 55 C~+ 150 C