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自营 现货库存
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NTMFS4821NT1G_null
NTMFS4821NT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
+5：

￥1.823325

+50：

￥1.484579

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￥1.339355

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￥1.158291

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￥1.077648

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），58.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.95 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 12 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 870mW（Ta），38.5W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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NTMFS4821NT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTMFS4821NT1G
ON(安森美)
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￥1.767167

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￥1.573862

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￥1.380557

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￥1.358455

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），58.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.95 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 12 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 870mW（Ta），38.5W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
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NTMFS4821NT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTMFS4821NT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1500：

￥4.322957

+3000：

￥3.850082

+7500：

￥3.647403

+10500：

￥3.377209

+37500：

￥3.323141

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），58.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.95 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 12 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 870mW（Ta），38.5W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTMFS4821NT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTMFS4821NT1G
ON(安森美)
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￥10.190645

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￥8.775278

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￥6.079003

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￥5.07947

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

NTMFS4821NT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTMFS4821NT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥4.920662

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￥3.649216

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￥3.418043

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￥3.186872

+500：

￥3.087798

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser
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MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL

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晶体管
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￥5.226045

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￥4.708293

+1000：

￥4.125825

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SO-8FL-4

系列： NTMFS4821N

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 58.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 8.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.8 V

Qg-栅极电荷： 25 nC

Pd-功率耗散： 38.5 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 3.8 ns

正向跨导 - 最小值： 54 S

高度： 1.05 mm

长度： 4.9 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 38 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 16.6 ns

典型接通延迟时间： 13.3 ns

宽度： 5.8 mm

单位重量： 107.200 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NTMFS4821NT1G_未分类
NTMFS4821NT1G
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R

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未分类
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￥3.906423

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￥3.847704

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￥3.728718

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￥3.669998

库存： 0

货期：7~10 天

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NTMFS4821NT1G_未分类
NTMFS4821NT1G
onsemi(安森美)
授权代理品牌
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￥2.139411

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货期：7~10 天

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NTMFS4821NT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.8A（Ta），58.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.95 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 16 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400 pF 12 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 870mW（Ta），38.5W（Tc）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
温度: -55°C # 150°C（TJ）