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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4105CT1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V,12V VGS=±10V,±12V ID=0.8A,0.9A RDS(ON)=550mΩ,950mΩ SOT363 下载数据手册未分类	+5：￥0.638892 +20：￥0.578997 +100：￥0.519102 +500：￥0.459207 +1000：￥0.431256	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4105CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.3048 +100：￥2.546064 +200：￥2.042064 +500：￥1.823328 +800：￥1.692432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V，8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V 功率 - 最大值： 270mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4105CT1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	NTJD4105CT1G 下载数据手册未分类	+5：￥0.895618 +50：￥0.735974 +150：￥0.656152 +500：￥0.530817 +3000：￥0.482924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4105CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+100：￥3.483197	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V，8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V 功率 - 最大值： 270mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD4105CT1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	NTJD4105CT1G TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.490718 +9000：￥0.482151 +15000：￥0.469417 +57000：￥0.448001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTJD4105CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.379191	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V，8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V 功率 - 最大值： 270mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD4105CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V，8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V 功率 - 最大值： 270mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD4105CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V，8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V 功率 - 最大值： 270mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTJD4105CT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTJD4105CT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+15：￥0.981087 +150：￥0.941844 +600：￥0.9026 +3000：￥0.879101 +9000：￥0.847614	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTJD4105CT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.894849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V，8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA，775mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 375 毫欧 630mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 20V 功率 - 最大值： 270mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTJD4105CT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V，8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	630mA，775mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	375 毫欧 630mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	46pF 20V
功率 - 最大值:	270mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SC-88/SC70-6/SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）