品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： PQFN-88-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 40 V

Id-连续漏极电流： 554.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 420 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 126 nC

Pd-功率耗散： 245.4 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 84.7 ns

正向跨导 - 最小值： 323 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 111 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 180 ns

典型接通延迟时间： 89.4 ns

单位重量： 4.096 g

温度： - 55 C~+ 175 C