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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTQD6968N_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

射频晶体管

+1:

¥4.21875

+25:

¥3.48975

+50:

¥3.03075

+100:

¥2.727

+250:

¥2.511

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装: 8-TSSOP

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTQD6968N_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

射频晶体管

+1:

¥10.320181

+25:

¥8.536854

+50:

¥7.414017

+100:

¥6.670964

+250:

¥6.142571

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装: 8-TSSOP

NTQD6968N_射频晶体管

N-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

+39:

¥2.691833

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 630pF 16V

功率 - 最大值: 1.39W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)

供应商器件封装: 8-TSSOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTQD6968N参数规格

属性 参数值
系列: -
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width)
供应商器件封装: 8-TSSOP