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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD5867NLT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥13.702766 +200：￥9.266664 +800：￥6.802136 +2500：￥4.929056 +5000：￥4.682579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVD5867NLT4G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NVD5867NLT4G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.97834 +2500：￥1.849647 +7500：￥1.801375 +12500：￥1.753102 +15000：￥1.688808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NVD5867NLT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.213742 +10：￥10.468967 +30：￥9.160333 +100：￥7.713943 +500：￥7.328288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVD5867NLT4G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NVD5867NLT4G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥1.109747 +7500：￥1.080867 +12500：￥1.051882 +22500：￥1.013307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD5867NLT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD5867NLT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD5867NLT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 7500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD5867NLT4G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥2.967597	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVD5867NLT4G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	39 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	675 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.3W（Ta），43W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）