锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 NTMFD5C650NLT1G 共 3 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTMFD5C650NLT1G_null
NTMFD5C650NLT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

T6 60V LL S08FL DS
+1：

￥28.294203

+10：

￥25.366119

+30：

￥23.626243

+100：

￥22.183419

+500：

￥21.218

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTMFD5C650NLT1G_射频晶体管
NTMFD5C650NLT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1500：

￥82.333241

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTMFD5C650NLT1G_晶体管
NTMFD5C650NLT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

T6 60V LL S08FL DS

下载数据手册

晶体管
+：

￥

+：

￥

+：

￥

+：

￥

+：

￥

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SO-8FL-Dual-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 111 A

Rds On-漏源导通电阻： 4.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V

Qg-栅极电荷： 37 nC

Pd-功率耗散： 125 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 13 ns

正向跨导 - 最小值： 120 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 24 ns

典型关闭延迟时间： 37 ns

典型接通延迟时间： 13 ns

单位重量： 161.193 mg

温度： - 55 C~+ 175 C

NTMFD5C650NLT1G参数规格

属性 参数值
系列: -
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)