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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NE3515S02-T1C-A_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: CEL

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: HFET

频率: 12GHz

增益: 12.5dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 88mA

噪声系数: 0.3dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: 14dBm

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-SMD,扁平引线

供应商器件封装: S02

温度:

NE3515S02-T1C-A_未分类
NE3515S02-T1C-A

SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas

包装: Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Last Time Buy

晶体管类型: HFET

频率: 12GHz

增益: 12.5dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 88mA

噪声系数: 0.3dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: -

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-Micro-X

供应商器件封装: 4-Micro-X

温度:

NE3515S02-T1C-A_未分类
NE3515S02-T1C-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas

包装: Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Last Time Buy

晶体管类型: HFET

频率: 12GHz

增益: 12.5dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 88mA

噪声系数: 0.3dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: -

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-Micro-X

供应商器件封装: 4-Micro-X

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NE3515S02-T1C-A_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: CEL

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: HFET

频率: 12GHz

增益: 12.5dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 88mA

噪声系数: 0.3dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: 14dBm

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-SMD,扁平引线

供应商器件封装: S02

温度:

NE3515S02-T1C-A_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

频率: 12GHz

安装类型: -

电压-额定: 4V

封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: S02

NE3515S02-T1C-A_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

频率: 12GHz

安装类型: -

电压-额定: 4V

封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: S02

NE3515S02-T1C-A_晶体管-FET,MOSFET-射频

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

晶体管类型: HFET

频率: 12GHz

增益: 12.5dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 88mA

噪声系数: 0.3dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: 14dBm

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: S02

温度:

NE3515S02-T1C-A_未分类
NE3515S02-T1C-A

SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ

未分类

+2000:

¥27.32048

+8000:

¥21.856385

+14000:

¥16.392289

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas

包装: Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Last Time Buy

晶体管类型: HFET

频率: 12GHz

增益: 12.5dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 88mA

噪声系数: 0.3dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: -

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-Micro-X

供应商器件封装: 4-Micro-X

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NE3515S02-T1C-A_未分类
NE3515S02-T1C-A
授权代理品牌

FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

未分类

+2000:

¥46.039207

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: CEL

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: HFET

频率: 12GHz

增益: 12.5dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 88mA

噪声系数: 0.3dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: 14dBm

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-SMD,扁平引线

供应商器件封装: S02

温度:

NE3515S02-T1C-A_未分类
NE3515S02-T1C-A

SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas

包装: Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Last Time Buy

晶体管类型: HFET

频率: 12GHz

增益: 12.5dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 88mA

噪声系数: 0.3dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: -

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-Micro-X

供应商器件封装: 4-Micro-X

温度:

NE3515S02-T1C-A参数规格

属性 参数值
品牌: CEL
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: HFET
频率: 12GHz
增益: 12.5dB
电压 - 测试: 2 V
额定电流(安培): 88mA
噪声系数: 0.3dB
电流 - 测试: 10 mA
功率 - 输出: 14dBm
电压 - 额定: 4 V
封装/外壳: 4-SMD,扁平引线
供应商器件封装: S02
温度: