 | | | | | 品牌: CEL 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 晶体管类型: HFET 频率: 12GHz 增益: 12.5dB 电压 - 测试: 2 V 额定电流(安培): 88mA 噪声系数: 0.3dB 电流 - 测试: 10 mA 功率 - 输出: 14dBm 电压 - 额定: 4 V 封装/外壳: 4-SMD,扁平引线 供应商器件封装: S02 温度: |
 | | | | | 系列: - 频率: 12GHz 安装类型: - 电压-额定: 4V 封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads 供应商器件封装: S02 |
 | | | | | 系列: - 频率: 12GHz 安装类型: - 电压-额定: 4V 封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads 供应商器件封装: S02 |
![NE3515S02-T1C-A_晶体管-FET,MOSFET-射频]() | | | | | 品牌: Renesas Electronics America Inc 包装: Bulk 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Obsolete 晶体管类型: HFET 频率: 12GHz 增益: 12.5dB 电压 - 测试: 2 V 额定电流(安培): 88mA 噪声系数: 0.3dB 电流 - 测试: 10 mA 功率 - 输出: 14dBm 电压 - 额定: 4 V 封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads 供应商器件封装: S02 温度: |
![NE3515S02-T1C-A_未分类]() | NE3515S02-T1C-A | SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ 未分类 | | | 品牌: Renesas 包装: Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Last Time Buy 晶体管类型: HFET 频率: 12GHz 增益: 12.5dB 电压 - 测试: 2 V 额定电流(安培): 88mA 噪声系数: 0.3dB 电流 - 测试: 10 mA 功率 - 输出: - 电压 - 额定: 4 V 封装/外壳: 4-Micro-X 供应商器件封装: 4-Micro-X 温度: |