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自营 现货库存
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NVMFD5852NLT1G_未分类
NVMFD5852NLT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

未分类

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¥2.499693

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¥2.405166

+1000:

¥2.363155

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.9 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1800pF 25V

功率 - 最大值: 3.2W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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NVMFD5852NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.9 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1800pF 25V

功率 - 最大值: 3.2W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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NVMFD5852NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.9 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1800pF 25V

功率 - 最大值: 3.2W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMFD5852NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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NVMFD5852NLT1G
授权代理品牌

POWER MOSFET 40V, 44A, 6.9 MOHM,

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Part Status: Active

Mouser
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NVMFD5852NLT1G_未分类
NVMFD5852NLT1G
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MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 1500

NVMFD5852NLT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.9 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1800pF 25V
功率 - 最大值: 3.2W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
温度: -55°C # 175°C(TJ)