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NVD5803NT4G_未分类
NVD5803NT4G
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NVD5803NT4G BYCHIP/百域芯

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国内:1~2 天

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NVD5803NT4G
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NVD5803NT4G VBSEMI/微碧半导体

未分类

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自营 国内现货
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NVD5803NT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

Digi-Key
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NVD5803NT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

NVD5803NT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

NVD5803NT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

Mouser
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NVD5803NT4G_晶体管
NVD5803NT4G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: TO-252-3

系列: NVD5803N

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 85 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 51 nC

Pd-功率耗散: 83 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

配置: Single

正向跨导 - 最小值: 13.6 S

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 1 N-Channel

零件号别名: SVD5803NT4G

单位重量: 330 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

NVD5803NT4G参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装: DPAK