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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDB6030PL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.037162 +200：￥2.731818 +500：￥2.633472 +1000：￥2.589763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1570 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDB6030PL ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK 下载数据手册未分类	+443：￥6.302626 +2211：￥6.178837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1570 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）
NDB6030PL VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NDB6030PL VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.109166 +50：￥3.055517 +500：￥2.948327 +5000：￥2.867907 +30000：￥2.680296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NDB6030PL 授权代理品牌	NDB6030PL VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.296453 +30：￥3.159159 +200：￥3.021749 +800：￥2.966761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDB6030PL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1570 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDB6030PL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1570 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -65°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -65°C # 175°C（TJ）
NDB6030PL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -65°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
NDB6030PL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -65°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
NDB6030PL ON Semiconductor 授权代理品牌	30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL, 下载数据手册未分类	+307：￥13.905553	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -65°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 25mOhm @ 19A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： D²PAK (TO-263AB) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1570 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDB6030PL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

NDB6030PL参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1570 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tc）
工作温度:	-65°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-65°C # 175°C（TJ）