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NVMD6N04R2G_未分类
NVMD6N04R2G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

未分类

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¥10.597436

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¥4.106638

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¥3.959597

+1000:

¥3.886077

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900pF 32V

功率 - 最大值: 1.29W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -

自营 国内现货
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NVMD6N04R2G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900pF 32V

功率 - 最大值: 1.29W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

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Digi-Key
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NVMD6N04R2G_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

射频晶体管

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900pF 32V

功率 - 最大值: 1.29W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -

NVMD6N04R2G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

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MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
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NVMD6N04R2G_未分类
NVMD6N04R2G
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MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

未分类

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货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

艾睿
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NVMD6N04R2G_未分类
NVMD6N04R2G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 5.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

未分类

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¥10.681325

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NVMD6N04R2G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900pF 32V
功率 - 最大值: 1.29W
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -