品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）： 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 118A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 196 nC 15 V

Vgs（最大值）： +19V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 503W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247-3

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）： 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 118A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 196 nC 15 V

Vgs（最大值）： +19V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 503W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247-3

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）： 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 118A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 196 nC 15 V

Vgs（最大值）： +19V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 503W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247-3

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3

系列：

产品种类： MOSFET

技术： SiC

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 900 V

Id-连续漏极电流： 118 A

Rds On-漏源导通电阻： 28 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 10 V, + 19 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4.3 V

Qg-栅极电荷： 196 nC

Pd-功率耗散： 503 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 13 ns

正向跨导 - 最小值： 49 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 63 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 55 ns

典型接通延迟时间： 40 ns

单位重量： 6 g

温度： - 55 C~+ 175 C