NTBG020N120SC1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥259.884988 +1600：￥255.553602 +2400：￥251.222103	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Ta），98A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28毫欧 60A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 20 V Vgs（最大值）： +25V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2943 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），468W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥460.276504 +10：￥411.548097 +100：￥357.334541	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥207.221494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Ta），98A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28毫欧 60A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 20 V Vgs（最大值）： +25V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2943 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），468W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥506.918682	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Ta），98A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28毫欧 60A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 20 V Vgs（最大值）： +25V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2943 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），468W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥682.184065 +10：￥636.51058 +100：￥552.655961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK-7
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥682.184065 +10：￥636.51058 +100：￥552.655961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK-7
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥385.309572	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： SiCFET (Silicon Carbide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 28mOhm @ 60A, 20V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.3V @ 20mA Supplier Device Package： D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 20V Vgs (Max)： +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss)： 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2943 pF @ 800 V
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥581.01344 +10：￥516.256908 +100：￥451.534426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： SiCFET (Silicon Carbide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 28mOhm @ 60A, 20V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.3V @ 20mA Supplier Device Package： D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 20V Vgs (Max)： +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss)： 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2943 pF @ 800 V
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥581.01344 +10：￥516.256908 +100：￥451.534426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： SiCFET (Silicon Carbide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 28mOhm @ 60A, 20V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.3V @ 20mA Supplier Device Package： D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 20V Vgs (Max)： +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss)： 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2943 pF @ 800 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥598.945969 +10：￥563.271522 +25：￥501.365868 +50：￥501.016118 +100：￥468.664291	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

NTBG020N120SC1参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.6A（Ta），98A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28毫欧 60A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.3V 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	220 nC 20 V
Vgs（最大值）:	+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2943 pF 800 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.7W（Ta），468W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK-7
封装/外壳:	TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥506.918682	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A（Ta），98A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28毫欧 60A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 20 V Vgs（最大值）： +25V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2943 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），468W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥682.184065 +10：￥636.51058 +100：￥552.655961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK-7
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥682.184065 +10：￥636.51058 +100：￥552.655961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA 供应商器件封装： D2PAK-7
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥385.309572	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： SiCFET (Silicon Carbide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 28mOhm @ 60A, 20V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.3V @ 20mA Supplier Device Package： D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 20V Vgs (Max)： +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss)： 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2943 pF @ 800 V
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥581.01344 +10：￥516.256908 +100：￥451.534426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： SiCFET (Silicon Carbide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 28mOhm @ 60A, 20V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.3V @ 20mA Supplier Device Package： D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 20V Vgs (Max)： +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss)： 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2943 pF @ 800 V
NTBG020N120SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥581.01344 +10：￥516.256908 +100：￥451.534426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： SiCFET (Silicon Carbide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 28mOhm @ 60A, 20V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.3V @ 20mA Supplier Device Package： D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 20V Vgs (Max)： +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss)： 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2943 pF @ 800 V