品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A (Ta), 70A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4mOhm 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 25V

功率 - 最大值： 3.2W (Ta), 50W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A (Ta), 70A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4mOhm 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 25V

功率 - 最大值： 3.2W (Ta), 50W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.6A (Ta), 70A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4mOhm 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 25V

功率 - 最大值： 3.2W (Ta), 50W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SO-8FL-Dual-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 40 V

Id-连续漏极电流： 70 A

Rds On-漏源导通电阻： 5.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 16 nC

Pd-功率耗散： 50 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 10 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 30 ns

典型关闭延迟时间： 26 ns

典型接通延迟时间： 12 ns

单位重量： 161.193 mg

温度： - 55 C~+ 175 C