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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
NVD5802NT4G 授权代理品牌 | +10: ¥5.360172 +300: ¥5.136832 +2500: ¥4.913491 +5000: ¥4.824113 +7500: ¥4.466809 | 暂无参数 |
Mouser
NVD5802NT4G参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss): | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16.4A(Ta),101A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.4 毫欧 50A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 100 nC 10 V |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5300 pF 12 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),93.75W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 温度: | -55°C # 175°C(TJ) |

