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NVMFD5875NLT1G参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N-通道(双) |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 33 毫欧 7.5A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 20nC 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 540pF 25V |
| 功率 - 最大值: | 3.2W |
| 工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道) |
| 温度: | -55°C # 175°C(TJ) |



