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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFD5875NLT1G_null
NVMFD5875NLT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

+1:

¥7.659698

+200:

¥2.97052

+500:

¥2.86443

+1000:

¥2.811385

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 33 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 25V

功率 - 最大值: 3.2W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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NVMFD5875NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

射频晶体管

+1500:

¥2.632643

+3000:

¥2.596388

+7500:

¥2.360326

+10500:

¥2.251388

+37500:

¥2.178762

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 33 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 25V

功率 - 最大值: 3.2W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFD5875NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

射频晶体管

+1500:

¥6.440141

+3000:

¥6.351452

+7500:

¥5.773983

+10500:

¥5.507491

+37500:

¥5.32983

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 33 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 25V

功率 - 最大值: 3.2W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMFD5875NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

射频晶体管

+1:

¥14.592571

+10:

¥13.104977

+25:

¥12.439103

+100:

¥9.32791

+250:

¥9.238371

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

NVMFD5875NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFD5875NLT1G_射频晶体管
NVMFD5875NLT1G
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 33 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 25V

功率 - 最大值: 3.2W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMFD5875NLT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 33 毫欧 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF 25V
功率 - 最大值: 3.2W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
温度: -55°C # 175°C(TJ)